电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法

  • Inventors:
  • Assignees: 北京科技大学
  • Publication Date: April 27, 2016
  • Publication Number: CN-103243385-B

Abstract

本发明涉及电解精炼-液态阴极原位定向凝固制备高纯单晶硅的方法。本发明以熔融含硅合金作为电解槽的阳极,氟化物电解质置于中间层,熔融高纯硅置于最上层作为阴极,电解槽自下而上构成“熔融硅合金——熔融电解质——熔融高纯硅”三层液态电解池,随后采用恒电流电解精炼,在电解精炼过程中将阴极液态高纯硅原位提拉定向凝固进一步纯化,并直接将其制备为高纯单晶硅。多晶硅以液态形式沉出,解决了熔盐电解法制备太阳能级多晶硅的过程中,硅以固态形式沉积出来时,产物易枝晶化,导电性差,阴极固-液界面不稳定,沉积速度慢,且电流效率较低的问题;缩短了单晶硅的制备流程,又可以降低太阳能多晶硅及单晶硅电池的制造成本。

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      Publication numberPublication dateAssigneeTitle
      CN-101070598-ANovember 14, 2007中南大学一种熔盐电解法制备太阳级硅材料的方法
      CN-102449201-AMay 09, 2012住友化学株式会社, 独立行政法人产业技术综合研究所Process for producing refined metal or metalloid
      CN-102851679-AJanuary 02, 2013厦门大学一种熔盐电解去除硅中硼和磷杂质的方法
      CN-1644721-AJuly 27, 2005北京科技大学一种生产超纯铝的方法
      US-3254010-AMay 31, 1966Gen Trustee Company IncRefining of silicon and germanium

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